ウェハー・基板

●無アルカリガラスは、低膨張率・高耐熱性等が安定したガラスです。●基板稜線は糸面加工です。●型番：EAGLEXG□100×0.7-25●材質：無アルカリガラス●サイズ（mm）：100×100●入数：1セット（25枚入）●密度：2.38●熱膨張係数：31.7×10^7/℃●歪点温度：669℃●ヤング率：10.7Mpsi●厚み：0.7mm

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2500100535504

●方位：（100）●タイプ：ノンドープ●入数：1箱（10枚入）●研磨：片面鏡面●サイズ：10×10×0.525mm

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2500100276834

●方位：（111）●タイプ：ノンドープ●入数：1箱（10枚入）●研磨：片面鏡面●サイズ：10×10×0.525mm

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2500100276841

●サイズ（インチ）×伝導型：6×P型●OF長さ（mm）×ウェハー厚(μm）：47.5±2.5×625±25●製造方法：CZ法●面方位：100●OF位置：110●抵抗値：0.1～100Ω・cm●パーティクル：パーティクル不問●入数：1枚●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

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2500100406989

●サイズ（インチ）×伝導型：6×N型●OF長さ（mm）×ウェハー厚(μm）：47.5±2.5×625±25●製造方法：CZ法●面方位：100●OF位置：110●抵抗値：0.1～100Ω・cm●パーティクル：パーティクル不問●入数：1枚●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

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2500100406996

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ（インチ）×伝導型：2×P型●OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：17.5±2.5×280±25●入数：1箱（25枚入）●製造方法：CZ法●面方位：100●OF位置：110●抵抗値：0.1～100Ω・cm　※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cm●パーティクル：≧0.3μm、10個以下●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

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2500100407009

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ（インチ）×伝導型：2×N型●OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：17.5±2.5×280±25●入数：1箱（25枚入）●製造方法：CZ法●面方位：100●OF位置：110●抵抗値：0.1～100Ω・cm　※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cm●パーティクル：≧0.3μm、10個以下●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

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2500100407016

●天然白雲母です。●成膜用基板やAFM観察用などに使用されています。●天然マイカ基板●サイズ：15×15×0.15mm●グレード：V-4グレード●研磨：劈開●入数：1箱（10枚入）●高品質グレードです。　V1～V10まである規格の上位グレードです。　金属成膜用、AFM観察用に適合します。

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2500100585196

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ（インチ）×伝導型：4×P型（高抵抗）●OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：32.5±2.5×525±25●入数：1枚●製造方法：CZ法●面方位：100●OF位置：110●抵抗値：0.1～100Ω・cm※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cm●パーティクル：パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。

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2500100610041

●P型片面ミラー●タイプ：P型（Bo）●仕上げ：片面ミラー●サイズ：10×10×0.525mm●抵抗率：0.1～100Ω●面方位：（100）●入数：1箱（10枚入）

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2500100029126

●N型片面ミラー●タイプ：N型（Ph）●仕上げ：片面ミラー●サイズ：10×10×0.525mm●抵抗率：0.1～100Ω●面方位：（100）●入数：1箱（10枚入）

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2500100030238

●AFMやSTMの観察用基板などに使用されています。●寸法：10×10×1 ●グレード：Bグレード ●モザイク度：0.8°±0.2°●入数：1枚●●AXEL・カタログ掲載商品以外にも下記のとおり多数単結晶基板を取り扱っております。●①酸化物単結晶●▼Anatase（アナターゼ）、CoO（酸化コバルト）、Cr2O3（酸化クロム）、Cu2O（酸化銅）、DyScO3（スカンジウム酸ジスプロスイム）、Fe2O3（三酸化二鉄）、Fe3O4（四酸化三鉄）、GdScO3（スカンジウム酸ガドリニウム）、KTaO3（タンタル酸カリウム）、LaSrAlO4（ランタンストロンチウムアルミネート）、LaSrGaO4（ランタンストロンチウムガレート）、MnO（酸化マンガン）、NdScO3（スカンジウム酸ネオジウム）、NiO（酸化ニッケル）、SGGG（置換型ガドリウム・ガリウム・ガーネット）、SnO2（酸化スズ）、YAG（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、YAlO3（イットリウム・アルミネート）、など。●②半導体単結晶●▼Ge（ゲルマニウム）、GaP（ガリウムリン）、GaN（ガリウムナイトライド）、InP（インジウムリン）、SiC（炭化珪素）など。●③フッ化物単結晶●▼LiF（フッ化リチウム）、LaF3（フッ化ランタン）、MgF2（フッ化マグネシウム）、SrF2（フッ化ストロンチウム）、KBr（臭化カリウム）、KCl（塩化カリウム）、NaCl（塩化ナトリウム）など。●④金属単結晶●▼Ag（銀）、Al（アルミニウム）、Au（金）、Bi（ビスマス）、Cd（カドミウム）、Co（コバルト）、Cr（クロム）、Cu（銅）、Dy（ジスプロシウム）、Er（エルビウム）、Fe（鉄）、Gd（ガドリニウム）、Hf（ハフニウム）、Ho（ホロニウム）、In（インジウム）、Ir（イリジウム）、Li（リチウム）、Mg（マグ

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2500100233226

●AFMやSTMの観察用基板などに使用されています。●寸法：10×10×1 ●グレード：Hグレード ●モザイク度：3.5°±1.5°●入数：1枚●●AXEL・カタログ掲載商品以外にも下記のとおり多数単結晶基板を取り扱っております。●①酸化物単結晶●▼Anatase（アナターゼ）、CoO（酸化コバルト）、Cr2O3（酸化クロム）、Cu2O（酸化銅）、DyScO3（スカンジウム酸ジスプロスイム）、Fe2O3（三酸化二鉄）、Fe3O4（四酸化三鉄）、GdScO3（スカンジウム酸ガドリニウム）、KTaO3（タンタル酸カリウム）、LaSrAlO4（ランタンストロンチウムアルミネート）、LaSrGaO4（ランタンストロンチウムガレート）、MnO（酸化マンガン）、NdScO3（スカンジウム酸ネオジウム）、NiO（酸化ニッケル）、SGGG（置換型ガドリウム・ガリウム・ガーネット）、SnO2（酸化スズ）、YAG（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、YAlO3（イットリウム・アルミネート）、など。●②半導体単結晶●▼Ge（ゲルマニウム）、GaP（ガリウムリン）、GaN（ガリウムナイトライド）、InP（インジウムリン）、SiC（炭化珪素）など。●③フッ化物単結晶●▼LiF（フッ化リチウム）、LaF3（フッ化ランタン）、MgF2（フッ化マグネシウム）、SrF2（フッ化ストロンチウム）、KBr（臭化カリウム）、KCl（塩化カリウム）、NaCl（塩化ナトリウム）など。●④金属単結晶●▼Ag（銀）、Al（アルミニウム）、Au（金）、Bi（ビスマス）、Cd（カドミウム）、Co（コバルト）、Cr（クロム）、Cu（銅）、Dy（ジスプロシウム）、Er（エルビウム）、Fe（鉄）、Gd（ガドリニウム）、Hf（ハフニウム）、Ho（ホロニウム）、In（インジウム）、Ir（イリジウム）、Li（リチウム）、Mg（マグ

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2500100233233

●無アルカリガラスは、低膨張率・高耐熱性等が安定したガラスです。●基板稜線は糸面加工です。●型番：EAGLEXG□100×0.7-50●材質：無アルカリガラス●サイズ（mm）：100×100●入数：1セット（50枚入）●密度：2.38●熱膨張係数：31.7×10^7/℃●歪点温度：669℃●ヤング率：10.7Mpsi●厚み：0.7mm

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2500100538345

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ（インチ）×伝導型：4×P型（低抵抗）●OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：32.5±2.5×525±25●入数：1枚●製造方法：CZ法●面方位：100●OF位置：110●抵抗値：0.1～100Ω・cm※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cm●パーティクル：パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。

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2500100622174

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ（インチ）×伝導型：4×N型●OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：32.5±2.5×525±25●入数：1枚●製造方法：CZ法●面方位：100●OF位置：110●抵抗値：0.1～100Ω・cm※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cm●パーティクル：パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。

商品コード：

2500100625526

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ（インチ）×伝導型：3×P型●OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：22.5±2.5×380±25●入数：1枚●製造方法：CZ法●面方位：100●OF位置：110●抵抗値：0.1～100Ω・cm※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cm●パーティクル：パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。

商品コード：

2500100657237

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ（インチ）×伝導型：2×N型●OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：17.5±2.5×280±25●入数：1枚●製造方法：CZ法●面方位：100●OF位置：110●抵抗値：0.1～100Ω・cm※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cm●パーティクル：パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。

商品コード：

2500100676955

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ（インチ）×伝導型：4×P型●OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：32.5±2.5×525±25●入数：1枚●製造方法：CZ法●面方位：100●OF位置：110●抵抗値：0.1～100Ω・cm※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cm●パーティクル：パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。

商品コード：

2500100695642

●型番：4インチ丸型●サイズ（mm）：φ100●材質：ソーダガラス●入数：1箱（50枚入）●厚み：0.7mm

商品コード：

2500100019035