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アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 6×P型 1枚入 1枚(ご注文単位1枚)【直送品】
ウェハー・基板
●サイズ(インチ)×伝導型:6×P型●OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):47.5±2.5×625±25●製造方法:CZ法●面方位:100●OF位置:110●抵抗値:0.1~100Ω・cm●パーティクル:パーティクル不問●入数:1枚●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●こちらの商品は事業者様向け商品です。
価格: 14,734円(税込)
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アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 6×N型 1枚入 1枚(ご注文単位1枚)【直送品】
ウェハー・基板
●サイズ(インチ)×伝導型:6×N型●OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):47.5±2.5×625±25●製造方法:CZ法●面方位:100●OF位置:110●抵抗値:0.1~100Ω・cm●パーティクル:パーティクル不問●入数:1枚●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●こちらの商品は事業者様向け商品です。
価格: 14,734円(税込)
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アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 2×P型 25枚入 1箱(ご注文単位1箱)【直送品】
ウェハー・基板
●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ(インチ)×伝導型:2×P型●OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):17.5±2.5×280±25●入数:1箱(25枚入)●製造方法:CZ法●面方位:100●OF位置:110●抵抗値:0.1~100Ω・cm ※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm●パーティクル:≧0.3μm、10個以下●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●こちらの商品は事業者様向け商品です。
価格: 111,100円(税込)
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アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 2×N型 25枚入 1箱(ご注文単位1箱)【直送品】
ウェハー・基板
●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ(インチ)×伝導型:2×N型●OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):17.5±2.5×280±25●入数:1箱(25枚入)●製造方法:CZ法●面方位:100●OF位置:110●抵抗値:0.1~100Ω・cm ※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm●パーティクル:≧0.3μm、10個以下●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●こちらの商品は事業者様向け商品です。
価格: 111,100円(税込)
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アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 4×P型(低抵抗) 1枚(ご注文単位1枚)【直送品】
ウェハー・基板
●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ(インチ)×伝導型:4×P型(低抵抗)●OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):32.5±2.5×525±25●入数:1枚●製造方法:CZ法●面方位:100●OF位置:110●抵抗値:0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm●パーティクル:パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位(切断角度)、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください(最低単位25枚)。●こちらの商品は事業者様向け商品です。
価格: 10,220円(税込)
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アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 4×P型 1枚(ご注文単位1枚)【直送品】
ウェハー・基板
●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ(インチ)×伝導型:4×P型●OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):32.5±2.5×525±25●入数:1枚●製造方法:CZ法●面方位:100●OF位置:110●抵抗値:0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm●パーティクル:パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位(切断角度)、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください(最低単位25枚)。●こちらの商品は事業者様向け商品です。
価格: 9,165円(税込)
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アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 4×N型 1枚(ご注文単位1枚)【直送品】
ウェハー・基板
●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ(インチ)×伝導型:4×N型●OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):32.5±2.5×525±25●入数:1枚●製造方法:CZ法●面方位:100●OF位置:110●抵抗値:0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm●パーティクル:パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位(切断角度)、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください(最低単位25枚)。●こちらの商品は事業者様向け商品です。
価格: 9,165円(税込)
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アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 2×N型 1枚(ご注文単位1枚)【直送品】
ウェハー・基板
●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ(インチ)×伝導型:2×N型●OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):17.5±2.5×280±25●入数:1枚●製造方法:CZ法●面方位:100●OF位置:110●抵抗値:0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm●パーティクル:パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位(切断角度)、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください(最低単位25枚)。●こちらの商品は事業者様向け商品です。
価格: 10,094円(税込)
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アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 3×N型 1枚 (ご注文単位1枚) 【直送品】
ウェハー・基板
●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ(インチ)×伝導型:3×N型●OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):22.5±2.5×380±25●入数:1枚●製造方法:CZ法●面方位:100●OF位置:110●抵抗値:0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm●パーティクル:パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位(切断角度)、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください(最低単位25枚)。●こちらの商品は事業者様向け商品です。
価格: 11,171円(税込)
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アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 2×P型 1枚 (ご注文単位1枚) 【直送品】
ウェハー・基板
●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ(インチ)×伝導型:2×P型●OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):17.5±2.5×280±25●入数:1枚●製造方法:CZ法●面方位:100●OF位置:110●抵抗値:0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm●パーティクル:パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位(切断角度)、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください(最低単位25枚)。●こちらの商品は事業者様向け商品です。
価格: 10,094円(税込)
数量
アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 4×P型(高抵抗) 1枚(ご注文単位1枚)【直送品】
ウェハー・基板
●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ(インチ)×伝導型:4×P型(高抵抗)●OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):32.5±2.5×525±25●入数:1枚●製造方法:CZ法●面方位:100●OF位置:110●抵抗値:0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm●パーティクル:パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位(切断角度)、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください(最低単位25枚)。●こちらの商品は事業者様向け商品です。
価格: 10,868円(税込)
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アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 3×P型 1枚(ご注文単位1枚)【直送品】
ウェハー・基板
●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供●サイズ(インチ)×伝導型:3×P型●OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):22.5±2.5×380±25●入数:1枚●製造方法:CZ法●面方位:100●OF位置:110●抵抗値:0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm●パーティクル:パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位(切断角度)、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください(最低単位25枚)。●こちらの商品は事業者様向け商品です。
価格: 11,171円(税込)
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